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• 01

  1、半导体领域的专利技术涉及材料、物理、电子、光学、计算机等多种学科，由于行业发展迅猛，其专利技术更新速度快，且通常具有很高的经济效益。为了保护和增强公司价值，半导体领域的专利技术已成为本领域的兵家必争之地。自2000年以来，获得最多专利的主要半导体领域依序为：1. 主动固态组件；2. 半导体制程；3. 静态信息储存与检索；4. 相干光产生器；5. 电子量测与测试；6. 各种主动式电子非线性组件、电路及系统；7. 电子系统与设备。近年来公布的专利合作条约(PCT)大约维持在每年2,000件左右。前七大提出PCT申请的公司分别为飞利浦电子、超微(AMD)、IBM、应用材料(Applied Materials)、摩托罗拉(Motorola)、英特尔(Intel)与半导体能源实验室(Semiconductor Energy Laboratory)。自2000年起，半导体、半导体设备、光学、涂布与静态储存一直引领着PCT的应用方向。飞利浦电子与超微将持续作为提出PCT的主要公司。半导体能源实验室则是从2005年开始积极提出PCT。
  

• 02

  2、专利申请的对象主要分为以下几种类型：
  （1）电子元器件：如晶体管、存储器、传感器、LED照明、光电器件、太阳能光伏器件等。
  （2）芯片与系统：如SoC系统级芯片、MEMS微电子机械系统等。
  （3）材料与设备：如SOI、GOI、光电材料、介质材料、封装材料、制程设备、测试设备等。
  （4）制程、工艺方法：如生长薄膜、掺杂、光刻、刻蚀、制造器件的工艺流程等。
  （5）IC设计、模拟方法：如 IC设计方法、器件仿真模拟方法、失效分析方法等。
  （6）测试、验证方法：如 IC、器件量测方法等。
  

• 01

  本专利的任务是什么，或要解决的技术问题是什么？

• 02

  已有产品/方法的不足：即说明与本专利的内容最相似的产品/方法，需要说明已有产品的主要结构、原理、实用效果，或已有工艺、方法的步骤、实用效果，尤其指出与本专利相比，原有产品/方法存在的缺点或不足之处。如有引用文献，需要说明出处；如有参考产品，指出其型号、厂家。对原有技术的介绍尽可能详细，可附结构原理图。

• 03

  本专利的内容：应说明本专利达到目的或解决问题的技术手段。包括产品的组成、结构，尤其说明各组成部分之间的相互关系，例如连接关系、被作用的工作电流或信号的走向。或工艺、方法的流程步骤，还需说明各步骤涉及的重要工艺参数（如时间、温度等）、重要公式。写明本专利的工作原理，本专利与现有技术的区别点。

• 04

  本专利的效果：有益效果可以由工作性能的提高，制作成本、能量损耗的减少，稳定性的增加，操作、控制、使用的简便，以及其他有用性能的出现等方面反映出来，对于工艺、材料的改进，还需给出实验数据加以证明。

• 05

  附图与说明：产品构造或装置或设备的图解，图应以电子制图或流程图的标准绘制，而非扫描图。使专利工作人员可直接在附图上编辑修改，实用新型申请必须带附图。工艺、方法可提供流程图。

• 06

  本专利的具体实施例：对照附图，说明本专利的具体实施方式，必须有详细的操作步骤、工作机理，包括附图中各具体器件功能介绍、及流程图中具体各个流程的功能。最好提供相应的技术参数、数据来具体说明有益效果，可同时提供原有技术的参数数据进行对比。